• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/412

Brevets de cette classe: 1449

Historique des publications depuis 10 ans

104
122
119
118
174
175
156
128
127
31
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
356
Qualcomm Incorporated
76576
90
Renesas Electronics Corporation
6305
62
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
49
Intel Corporation
45621
35
ARM Limited
4353
33
International Business Machines Corporation
60644
29
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
27
United Microelectronics Corp.
3921
27
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6459
26
Texas Instruments Incorporated
19376
22
Zeno Semiconductor, Inc.
236
21
Socionext Inc.
1575
20
Tahoe Research, Ltd.
2146
20
Advanced Micro Devices, Inc.
5326
19
Micron Technology, Inc.
24960
17
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
1764
14
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10525
13
iCometrue Company Limited
64
13
Synopsys, Inc.
2829
12
Autres propriétaires 544